Program konferencji

Program szczegółowy konferencji ELTE 2016 można pobrać klikając link poniżej:

program szczegółowy konferencji [PDF, 670kB] aktualizacja 8.09.2016

Referaty plenarne

GRANICE NANOTECHNOLOGII

Marek Przybylski

Sensem współczesnej elektroniki jest nanostrukturyzacja. Obiekt, którego rozmiary wyrażają się w pojedynczych nanometrach, wykazuje zupełnie inne właściwości niż jego odpowiednik w skali makro: gwałtownie wzrasta udział atomów powierzchniowych, wzrasta rola drgań termicznych, do opisu zjawisk trzeba stosować mechanikę kwantową, a pojedynczy elektron odgrywa decydującą rolę. W referacie omówię te zjawiska fizyczne zachodzące w skali nano, które wykorzystywane są (lub będą) w elektronice, a w szczególności w tych urządzeniach, których działanie oparte jest nie na ładunku, a na spinie elektronu.

SPECJALIZOWANE UKŁADY SCALONE W BADANIACH NAUKOWYCH

Władysław Dąbrowski

Technika specjalizowanych układów scalonych otworzyła nowe możliwości eksperymentalne w badaniach podstawowych, dzięki którym możliwe było uzyskanie przełomowych wyników. Fizyka cząstek elementarnych jest dziedziną, która wprowadziła specjalizowane układy scalone do aparatury doświadczalnej. Doświadczenia i sukcesy eksperymentalnej fizyki cząstek dały impulsy do sięgnięcia po te techniki w innych obszarach badań podstawowych. W prezentacji zostaną przedstawione projekty specjalizowanych układów scalonych rozwijanych na Wydziale Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH dla projektów naukowych z dziedziny fizyki cząstek elementarnych i neurobiologii.

e-BEAM THROUGHPUT FROM RASTER TO IMAGING

Marek Żywno

The paper compares two generations of electron beam writers made 10 years apart with a pixel throughput increased by 5 orders of magnitude to keep up with the challenges posed by the Moore’s law. The migration from 1D serial pixel placement to 2D high speed image projection is supported by different architectures of stage mechanics, metrology and beam control systems.

SINGLE NANO-DIGIT SCANNING PROBE LITHOGRAPHY FOR BEYOND CMOS

Ivo W. Rangelow

Fabricating future devices in nanoelectronics, nanophotonics, and nanoelectromechanical systems requires lithography at the single nano-digit level with high alignment accuracy between patterns, acceptable throughput, cost, and reliability. To address this, we have been working on technology using a combination of high‐resolution scanning probe lithography (SPL). We believe this combination is a promising candidate for high‐throughput, cost-effective device fabrication even at the sub‐5 nm scale.

TECHNOLOGIA OSADZANIA WARSTW ATOMOWYCH DO ZASTOSOWAŃ W MIKROELEKTRONICE I NANOELEKTRONICE

Marek Godlewski

W referacie omówię wybrane zastosowania wytwarzanych metodą Osadzania Warstw Atomowych (ALD) warstw materiałów tlenkowych. W przypadku zastosowań elektronicznych omówię prace mojego zespołu badawczego w dziedzinie przezroczystych tranzystorów, sensoryki i elementów spintronicznych.

ŚWIATŁOWODOWY INTERFEROMETR MIĘDZYMODOWY DO BADANIA CIECZY OPARTY NA ŚWIATŁOWODZIE Z ZAWIESZONYM RDZENIEM

Mateusz Śmietana, Konrad Sośnicki, Dariusz Pysz, Ryszard Buczyński

Praca obejmuje opis wykonania i badań czujnikowych światłowodowego interferometru międzymodowego opartego na krótkim odcinku (do kilku cm) światłowodu z zawieszonym rdzeniem (SCF). Światłowód SCF zespawany w włóknem telekomunikacyjnym SMF pozwala na uzyskanie struktury interferometru Macha-Zehndera. Opracowane struktury wykazują czułość na zmiany współczynnika załamania otoczenia (do 700 nm/RIU) przy jednoczesnej pomijalnej czułości na zmiany temperatury.

MATERIAŁY I TECHNOLOGIE MONTAŻU DLA POTRZEB ELEKTRONIKI WYSOKOTEMPERATUROWEJ

Marcin Myśliwiec, Ryszard Kisiel

Celem artykułu jest przedstawienie rozwiązań materiałowych i nowoczesnych technik montażu struktur półprzewodnikowych do obudów ceramicznych i metalowych. Materiały półprzewodnikowe wykorzystane w pracy to węglik krzemu (SiC) i azotek galu (GaN). Materiały te należą do rodziny półprzewodników z szeroką przerwą energetyczna umożliwiają pracę w wysokich temperaturach, nieosiągalnych w elektronice krzemowej. Położono szczególny nacisk na montaż do zastosowań wysokotemperaturowych. Do tego rodzaju połączeń konieczne jest zastosowanie technik SLID (ang. Solid Liquid Interdiffusion Bonding, lutowanie dyfuzyjne) lub spiekania mikro- i nanoproszków srebrowych. Omówione zostaną tez inne techniki formowania połączeń wewnątrz obudów, spełniające wymagania elektroniki wysokotemperaturowej. Pokazany zostanie postęp prac jaki realizowany jest w kraju w tym obszarze.

LAB-CHIP ELEKTROFORETYCZNY DO ANALIZY DNA OTRZYMANY TECHNIKĄ STRUMIENIOWEGO DRUKU 3D

Krzysztof Adamski, Wojciech Kubicki, Rafał Walczak

Instrumenty typu laboratorium na chipie znajdują zastosowania w wielu aspektach otaczającego na świata. Jednym z możliwych do zastosowania obszarów jest żelowa elektroforetyczna analiza DNA w strukturach mikrofluidycznych. W pracach własnych wykazano, że technika strumieniowego druku 3D może służyć do wytwarzania chipów do elektroforezy kapilarnej. Zastosowana technika pozwala na wytworzenie chipów w znacznie krótszym czasie niż stosując „klasyczne” techniki mikroinżynieryjne, a wynik separacji jest zadawalający.